TP65H050WS / TP65H035WS Gallium Nitride i Gjeneratës së Tretë (Gen III) Gallium Nitride (GaN) Transistorë me Fusha (FET)

GET FET e Transphorm-it kanë një ndërrim më të qetë duke zvogëluar ndërhyrjen elektromagnetike (EMI) dhe duke rritur imunitetin e zhurmës

TP65H050WS dhe TP65H035WS e Transform-it janë FET GEN III 650 V. Ata japin EMI më të ulët, rritur imunitetin e zhurmës së portës dhe sallë më të madhe të kokës në aplikimet e qarkut. 50 mΩ TP65H050WS dhe 35 mΩ TP65H035WS janë në dispozicion në paketat standarde TO-247.

Një MOSFET dhe modifikimet e projektimit lejojnë pajisjet Gen III të ofrojnë një tension të pragut të rritur (imunitetin e zhurmës) në 4 V nga 2.1 V (Gen II) i cili eliminon nevojën për një makinë të portës negative. Besueshmëria e portës u rrit nga Gen II me 11% deri në ± 20 V maksimum. Kjo rezulton në ndërrim më të qetë dhe platforma jep përmirësim të performancës në nivele më të larta aktuale me qark të thjeshtë të jashtëm.

1600T Company Company Seasonic Electronics është një platformë totale-pole pa tela 1600 W, që përdor këto FET Ga të tensionit të lartë për të sjellë efikasitet të korrigjimit të faktorit të energjisë 99% (PFC) në karikuesit e baterive (e-skuterat, industriale, dhe më shumë), fuqinë e PC, serverat , dhe tregjet e lojrave. Përfitimet e përdorimit të këtyre FET me platformën e bazuar në silikon 1600T përfshijnë rritjen e efikasitetit me 2% dhe rritjen e densitetit të energjisë me 20%.

Platforma 1600T përdor TP65H035WS të Transphorm për të arritur efikasitet të rritur në qarqet me butësi të ndërprera dhe me lehtësi dhe për t'u ofruar përdoruesve opsione kur dizajnojnë produkte të sistemit të energjisë. Pairsiftet TP65H035WS me shofer portash që përdoren zakonisht për të thjeshtuar projektimet.