Zëvendës Presidenti i Lartë i ASML dhe Kreu i Menaxhimit të Produkteve High-NA EUV, Greet Storms, tha së fundmi se sistemet e litografisë High-NA EUV po avancojnë shpejt drejt prodhimit me vëllim të lartë, ose HVM. Ndërsa vëllimet e ekspozimit të klientëve rriten në mbarë botën, ASML ka optimizuar teknologjinë për të sjellë produktivitetin e flotës në nivele të gatshme për prodhim, ndërsa ka krijuar një plan të qëndrueshëm për rritjen e kostos për industrinë e gjysmëpërçuesve për dekadën e ardhshme.
Ekspozimet globale të wafer-it tejkalojnë 1.35 milion ndërsa sistemet demonstrojnë performancën HVM
Storms tha se ekspozimet cumulative të wafer-it në flotën globale të sistemeve High-NA EUV, ose EXE, kanë kaluar 1.35 milion, duke ускорuar mësimin e proceseve dhe gatishmërinë për HVM. Një sistem i kualifikuar EXE:5200B arriti një prodhim prej 135 wafer-ash në orë gjatë testimeve të pranimit, duke demonstruar produktivitetin e kërkuar për prodhimin me vëllim të lartë. Dhjetë sisteme High-NA EUV të instaluara në katër vende klientësh janë aktualisht operacionale në mbarë botën, ndërsa tre sisteme të tjera janë duke u dërguar ose instaluar.
Sistemët gjithashtu kanë demonstruar saktësi të fortë të mbivendosjes makinë në makinë dhe performancë fokusimi. Disponueshmëria në flotën globale të High-NA EUV është rritur në 84% dhe pritet të arrijë 90% deri në fund të vitit 2026, me një target afatgjatë prej 93%. Duke u mbështetur në përvojën nga platforma e saj të krijuar NXE, ASML ka përmirësuar kapabilitetet diagnostike dhe ka introduktuar masa për të parandaluar defektet e përsëritura, duke rritur stabilitetin në operimin e sistemeve.
High-NA EUV hyn në prodhimin e çipave logjikë dhe redukton kostot e proceseve të avancuara nëpërmjet modelimit të vetëm
Storms gjithashtu tha se High-NA EUV ka arritur një përparim të madh me përdorimin e tij të parë në prodhimin me vëllim të lartë të çipave logjikë. Për shkallëzimin e memories, imazhi High-NA mund të mbështesë zhvillimin e vazhdueshëm të aq shumë si pesë node procesesh të ardhshme 2D DRAM.
Krahasuar me 0.33-NA EUV, i cili mund të kërkojë procese të komplikuara dhe të shtrenjta të modelimit të shumëfishtë, rezolucioni më i lartë i sistemeve 0.55-NA lejon prodhimin e më shumë shtresave duke përdorur modelimin e vetëm. Zëvendësimi i modelimit të shumëfishtë me ekspozitë të vetme mund të reduktojë kompleksitetin e procesit, normat e defekteve, kohën e ciklit dhe kostot totale të prodhimit, duke ruajtur përformancën e procesit dhe fizibilitetin ekonomik në pitch më të vogla.
ASML gjithashtu ka zhvilluar zgjidhje inxhinierike për sfidat teknike të lidhura me prodhimin me vëllim. Platforma EXE përdor algoritmo të nivelizimit të die, korrigjimin e fokusit dhe një dizajn të klamposit të wafer-it prej 148 mm për të siguruar një margjin të thellësisë së fokusit të pritur prej më shumë se 30 nm ndërsa ruan performancën e kontrollit të krahasueshme me atë të platformës NXE.
Për të adresuar kufizimin e ekspozimit të gjysmë-fushës të High-NA EUV, ASML përdor një Zonë të Kompensimit të Shtresës prej 175 μm të dizajnuar për prodhimin me vëllim të lartë, duke ofruar fleksibilitet më të madh në dizajn. Në aplikacionet DRAM, shtimi kërkohet vetëm për projektet e çipave me disa konfigurime të kolonave me numra të çuditshëm, ndërsa konfigurimet me numra çift nuk kërkojnë shtimin.
High-NA EUV gjithashtu krijon mundësi të reja dizajni për skemat e çipave 2D. Kontrasti më i lartë i imazhit lejon që pitches më të vogla të modelohen nëpërmjet një ekspozite të vetme, duke përmirësuar rreshtimin e ndërlidhjeve dhe potencialisht duke reduktuar numrin total të shtresave metalike të kërkuara. Për shembull, një schema metalike 2D e modeluar me një shtresë mund të zëvendësojë një strukturë më komplekse që më parë kërkonte dy shtresa metalike dhe një shtresë të kalimit, duke rritur dendësinë e qelizave logjike ndërsa përmirëson efikasitetin e dizajnit.
Qëllimi për prodhimin prej 180 WPH në një platformë të qëndrueshme 10-vjeçare
Duke parë përpara, ASML planifikon të vazhdojë të rrisë prodhimin e platformës së saj EXE ndërsa kalon nga EXE:5200B në gjeneratën e ardhshme EXE:5400E. Duke rritur fuqinë e burimit EUV nga 600 W në drejtim të 1,000 W, duke nxitur trajtimin e wafer-it dhe retikullit, dhe duke prezantuar zgjidhjen PEP, ASML ka ndërmend të rrisë prodhimin e testit të pranimit në 180 wafer-a në orë deri në vitin 2030.
Storms shtoi se ASML ka krijuar një plan të plotë për teknologjinë e saj 0.55-NA EUV, me një arkitekturë të qëndrueshme të platformës që pritet të mbështesë më shumë se një dekadë zhvillimi. Duke kombinuar rezolucionin më të lartë, kapacitetin e modelimit të vetëm, produktivitetin e rritur dhe fleksibilitetin më të madh në dizajn, platforma është pozicionuar për të mbështetur planet afatgjata të rritjes së node-ve të avancuara të industrisë së gjysmëpërçuesve.