IPM 31 Elitesic SPM 31 plotëson portofolin IGBT SPM 31 të IGBT 31 të ONSEMI, i cili mbulon vlerësime me rrymë të ulët nga 15a në 35A, duke ofruar një gamë të vlerësimeve aktuale nga 40A në 70A.ONSEMI tani siguron zgjidhje udhëheqëse të industrisë, shumë të shkallëzueshme dhe fleksibël të integruar të modulit të energjisë në një paketë kompakte.
Ndërsa aplikimet e elektrifikimit dhe AI zgjerohen, veçanërisht me rritjen e numrit të qendrave të të dhënave të AI në rritje të kërkesës për energji, ulja e konsumit të energjisë në këto aplikacione është bërë gjithnjë e më kritike.Gjysmëpërçuesit e energjisë që konvertojnë në mënyrë efikase energjinë elektrike luajnë një rol vendimtar në kalimin në një botë me karbon të ulët.
Me rritjen e vazhdueshme si në numrin ashtu edhe në shkallën e qendrave të të dhënave, kërkesa për tifozët e KE gjithashtu pritet të rritet.Këta tifozë ftohës mbajnë kushte optimale të funksionimit për të gjitha pajisjet e qendrës së të dhënave, duke siguruar transmetimin e saktë dhe të pandërprerë të të dhënave.SIC IPMS mundëson tifozët e KE të operojnë në mënyrë më efikase dhe të besueshme.
Ashtu si disqet dhe pompat e kompresorit në aplikacione të tjera industriale, tifozët e KE kërkojnë densitet dhe efikasitet më të lartë të energjisë sesa zgjidhjet ekzistuese më të mëdha IGBT.Duke kaluar në IPM Elitesic SPM 31, klientët përfitojnë nga një gjurmë më e vogël, performanca e zgjeruar dhe modeli i thjeshtuar për shkak të integrimit të lartë, zvogëlimit të kohës së zhvillimit, uljes së kostove të përgjithshme të sistemit dhe prerjes së emetimeve të gazrave serë.Për shembull, në krahasim me sistemet që përdorin modulet aktuale të integruara të energjisë IGBT (PIMS), të cilat kanë humbje të energjisë 500W me ngarkesë 70%, duke miratuar elitë me efikasitet të lartë SPM 31 IPM zvogëlon konsumin vjetor të energjisë dhe koston për tifoz të KE me 52%.
IPM plotësisht e elitë e integruar SPM 31 përfshin një drejtues të pavarur të portës së krahut të lartë, një qark të integruar me tension të ulët (LVIC), gjashtë MOSFET elitarë dhe një sensor të temperaturës (sensori i temperaturës së tensionit (VTS) ose termistori).Bazuar në teknologjinë M3 SIC drejtuese të industrisë, moduli zvogëlon madhësinë e vdesit dhe levat paketën SPM 31 për të përmirësuar kohën e shkurtër të qarkut (SCWT), duke e optimizuar atë për aplikime të ndërruara me vështirësi siç janë disqet motorike me frekuencë industriale.MOSFET miratojnë një strukturë të urës trefazore me një lidhje burimi të pavarur në anën e ulët, duke siguruar një fleksibilitet më të madh në zgjedhjen e algoritmeve të kontrollit.
Për më tepër, Elitesic SPM 31 IPM ofron përfitimet e mëposhtme:
• MOS-i elitës M3 me humbje të ulët, me qark të shkurtër, MOSFET Elitesic, parandalojnë dështimet katastrofike siç janë goditja elektrike ose zjarri.
• Mbrojtja e integruar e nën-kontrollit (UVP) parandalon dëmtimin kur tensioni bie shumë i ulët.
• Si një homolog i drejtpërdrejtë i FS7 IGBT SPM 31, klientët mund të zgjedhin vlerësime të ndryshme aktuale ndërsa përdorin të njëjtin dizajn PCB.
• UL-çertifikuar, duke përmbushur standardet kombëtare dhe ndërkombëtare të sigurisë.
• Furnizimi me energji me një bazë të vetme rrit sigurinë, mbrojtjen e pajisjes dhe uljen e zhurmës.
• Dizajn i thjeshtuar dhe zvogëluar gjurmën e PCB për klientët.